Перегляд інформації про документ
Назва:
Dependence of minority change carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-vrystal silicon
Колекція:
Статті »
Ключові слова:
Видавець:
Харьков, Институт Монокристаллов
Рік публікації:
ISBN/ISSN:
Вид документа:
стаття
Мова документа:
англійська
Додано у архів:
29.09.2015
Зведена інформація по документу:
Zaitsev, R.V. Dependence of minority change carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-vrystal silicon [Текст] / Zaitsev R.V., Kopach V.R., Kirichenko M.V., Doroshenko A.N., Khrypunov G.S. // Статті : - Харьков, Институт Монокристаллов, 2011.
Постійне посилання:
Коротке посилання на файл:
Аанотація:

вiдсутня

отсутствует

absent


© 2019 — Розроблено лабораторією інформаційно-пошукових систем НТУ "ХПІ"