Перегляд інформації про документ
Назва:
Critical Phenomena in Heavily-Doped Semiconducting Compounds
Колекція:
Статті »
Автори:
Кафедра:
Видавець:
The Japan Society of Applied Physics
Рік публікації:
ISBN/ISSN:
Вид документа:
стаття
Мова документа:
англійська
Додано у архів:
02.08.2016
Зведена інформація по документу:
Critical Phenomena in Heavily-Doped Semiconducting Compounds [Текст] / Rogacheva E.I. // Статті : - The Japan Society of Applied Physics, 2001.
Постійне посилання:
Коротке посилання на файл:
Аанотація:

вiдсутня

отсутствует

absent


© 2019 — Розроблено лабораторією інформаційно-пошукових систем НТУ "ХПІ"